真空開關(guān)（真空滅弧室）的真空度測(cè)試是確保其絕緣和滅弧性能的關(guān)鍵試驗(yàn)。以下是基于磁控放電法、脈沖磁控法等主流技術(shù)的試驗(yàn)規(guī)程及方法，參考DL/T 846.10-2016等標(biāo)準(zhǔn)：

試驗(yàn)規(guī)程，依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)：IEC 62271-1、IEEE C37.04

國(guó)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)：

DL/T 846.10-2016《高電壓測(cè)試設(shè)備通用技術(shù)條件 第10部分：真空開關(guān)真空度測(cè)試儀》

GB/T 11022-2020《高壓開關(guān)設(shè)備和控制設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的共用技術(shù)要求》

試驗(yàn)條件

環(huán)境要求：溫度-10℃~40℃，相對(duì)濕度≤80%，無(wú)強(qiáng)電磁場(chǎng)干擾。

設(shè)備狀態(tài)：真空開關(guān)處于分閘狀態(tài)，兩端斷開與其他設(shè)備的電氣連接。

安全措施：測(cè)試前對(duì)開關(guān)放電并接地，確保操作人員與高壓部分保持安全距離。

測(cè)試前準(zhǔn)備

儀器校準(zhǔn)：使用標(biāo)準(zhǔn)真空度校準(zhǔn)腔（如10?? Pa~10?1 Pa范圍）驗(yàn)證真空開關(guān)真空度測(cè)試儀精度。

清潔處理：清潔滅弧室表面污垢，避免影響電場(chǎng)分布。

基線數(shù)據(jù)：記錄出廠或歷史測(cè)試數(shù)據(jù)作為參考。

試驗(yàn)方法（以磁控放電法為例）

測(cè)試原理

在滅弧室觸頭間施加高壓脈沖，利用外部磁場(chǎng)激勵(lì)電離殘余氣體，通過(guò)檢測(cè)電離電流反推真空度（范圍通常為10??~10?1 Pa）。

接線方式

單斷口測(cè)試：真空開關(guān)真空度測(cè)試儀高壓輸出端接滅弧室動(dòng)觸頭，靜觸頭接地。

多斷口串聯(lián)測(cè)試：需分段測(cè)試，避免并聯(lián)電容干擾。

磁場(chǎng)線圈：環(huán)繞滅弧室外部，提供恒定軸向磁場(chǎng)（通常0.01~0.1T）。

測(cè)試步驟

參數(shù)設(shè)置：

測(cè)試電壓：根據(jù)廠家建議（通常2kV~10kV）。

磁場(chǎng)強(qiáng)度：按儀器要求調(diào)節(jié)（如0.05T）。

數(shù)據(jù)采集：

啟動(dòng)測(cè)試，真空開關(guān)真空度測(cè)試儀自動(dòng)輸出高壓脈沖并測(cè)量電離電流。

重復(fù)3次取平均值，避免偶然誤差。

結(jié)果讀取：

直接顯示真空度值（Pa或Torr），或通過(guò)“合格/不合格”判定。

關(guān)鍵注意事項(xiàng)

觸頭開距：保持廠家規(guī)定的額定開距，避免因機(jī)械位移影響電場(chǎng)分布。

老練處理：對(duì)長(zhǎng)期未使用的開關(guān)，先進(jìn)行多次分合閘操作消除表面吸附氣體。

干擾抑制：遠(yuǎn)離無(wú)線電發(fā)射源，測(cè)試線采用屏蔽電纜。

數(shù)據(jù)分析與診斷

合格標(biāo)準(zhǔn)

通用閾值：真空度≤10?2 Pa（新裝開關(guān)應(yīng)≤10?3 Pa）。

同批次開關(guān)真空度差異不應(yīng)超過(guò)一個(gè)數(shù)量級(jí)。

警示值：若真空度劣化至10?1 Pa，需縮短測(cè)試周期或更換。

異常處理

曲線分析：若電離電流-電壓曲線斜率突變，可能提示內(nèi)部污染或漏氣。

復(fù)測(cè)確認(rèn)：對(duì)臨界值結(jié)果，需在不同環(huán)境溫度下復(fù)測(cè)。